Bilim adamları giyilebilir ekranlar için ultra ince ve saydam transistör geliştirdiler.
İnternet uygulamalarının gezi yönlendirme desteği vermeye başlaması ve diğer bazı uygulamalar nedeniyle giyilebilir cihazlara gereksinim artmıştır.
Şeffaf cihazların, iletkenlik performansı ile şeffaflık kaybı arasında yaşadığı ikilem bilim insanlarını inorganik bazlı elemanları araştıraya yöneltmiştir.
Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (KAIST) Materyal Geliştirme depertmanından Prof Keon Jae Lee ve Sang-Hee Ko Park inorganik bazlı bir metod (ILLO) geliştirerek, ultra ince oksit film geliştirmeyi başardılar.
2014 yılında tanıtımı yapılan bu yöntem lazer kullanımı ile inorganik oksit transistör geliştirilmesi olarak tarif edilebilir.
KAYNAK:
http://phys.org/news/2016-07-team-ultrathin-transparent-oxide-thin-film.html
Yorumlar
Yorum Gönder